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【TechWeb】1月31日，瑞萨瑞萨电子克日宣布推出全新格栅驱动IC——RAJ2930004AGM，电推进I动用于驱动电动汽车（EV）逆变器的新型栅IGBT(绝缘栅双极晶体管)和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。

作为电动汽车逆变器的极驱紧张构成局部 ，栅极驱动IC控制逆变器MCU，用于驱IGBT和向逆变器供电SiC MOSFET直接提供接口。变器它们在高压域吸收MCU的瑞萨控制信号，并将其传输到高压域 ，电推进I动疾速翻开和封闭功率器件。新型栅为了顺应电动汽车电池的极驱更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75kVrms（kV均方根)断绝器 ，用于驱与上一代产品的变器2相比.5kVrms断绝器较高，可支持高达12000的瑞萨耐压性V功率器件 。别的，电推进I动新驱动IC拥有150V/ns(纳秒)或更高CMTI(共模瞬态抗扰度)功能带来牢靠的新型栅通讯和更强的抗噪才能，同时满意逆变器体系所需的高电压和疾速开关速率。小产品的新产品SOIC栅极驱动器的根本功效在16包装中完成，成为低本钱变频器体系的抱负选择 。

RAJ2930004AGMIGBT可与瑞萨IGBT产品及其他制造商互助SiC MOSFET一同利用设置装备摆设 。除牵引逆变器外，栅极驱动器IC还十分合适车载充电器 、DC/DC转换器
 。为了协助开辟商疾速将产品推向市场，瑞萨推出了XEV逆变器套件办理方案，将栅极驱动IC和ICMCU 、IGBT联合电源办理IC
，方案在2023年上半年公布包括新格栅极驱动IC的版本。

RAJ2930004AGM网极驱动IC的要害特征
。

断绝才能。

耐断绝电压：3.75kVrms。

CMTI(共模瞬态抗扰度):150V/ns。

格栅极驱动才能 。

输入峰值电流：10A。

掩护/妨碍检测功效 。

影片中有源米勒胁迫。

软关断。

过流掩护（DESAT掩护） 。

欠压锁定(UVLO) 。

妨碍反应。

事情温度范畴
：-40-125°C（Tj：最高150°C） 
。

该产品将经过完成高本钱效益的逆变器来进步电动汽车的使用率 ，从而最大限制地增加对情况的影响。

供货信息
。

RAJ2930004AGM格栅驱动IC如今可以提供样品，并方案在2024年第一季器量产 。